當將鋇放入混合物中時，它會在堆疊的氧化鉿薄膜之間形成垂直“橋”。由于這些鋇橋具有高度結構，電子可以輕松地穿過它們。在橋與器件觸點相交的點處會產生能量勢壘，并且可以控制該勢壘的高度，從而改變整個材料的電阻。這反過來又是對數據進行編碼的。
Hellenbrand 說：“這允許材料中存在多種狀態，這與只有兩種狀態的傳統存儲器不同?！?nbsp;“這些材料真正令人興奮的是它們可以像大腦中的突觸一樣工作：它們可以在同一個地方存儲和處理信息，就像我們的大腦一樣，這使得它們在快速發展的人工智能和機器學習領域非常有前途?！?/span>
研究人員表示，他們的設備使用通過鋇橋連接的氧化鉿薄膜，具有一些優勢，可以幫助其走向商業化。一方面，這些結構可以在相對較低的溫度下自組裝，這比許多其他結構所需的高溫制造更容易。此外，這些材料已經廣泛應用于計算機芯片行業，因此應該更容易將它們納入現有的制造技術中。對這些材料的可行性研究將使科學家能夠研究它們在更大范圍內的工作效果。
該研究發表在《Science Advances.》雜志上。
論文鏈接：https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adg1946
